电光晶体
偏硼酸钡电光晶体(BBO EOM)
电光效应是在平行于晶体光轴的电场作用下,晶体的折射率变化。折射率的变化是外加电压的线性函数,并取决于入射光束的方向和偏振。用来制造普克尔盒的非线性晶体包括BBO、KDP、DKDP、LiNbO3、LiTaO3、KTP、RTP、ADP等。科彤光电制造的BBO光电晶体在温度稳定性、激光功率承受能力等方面有着诸多显著的优势。
科彤BBO EOM特点:
● 紫外透射
● 低内部损耗
● 小的压电震铃
● 无共振运行
● 高平均功率承受能力
● 高对比度,最高可达200:1
● 快速开关,可达30000HZ
● 高损伤阈值,大于20KW/cm3,CW
科彤BBO EOM应用:
● 电光调制器广泛应用于控制激光束的相位、振幅或偏振状态或功率
● BBO光电晶体主要是用作纵向场调制器,即电场与光束方向垂直时
结构与物理特性:
晶胞参数 | 三方晶系,R3C |
熔点 | a=b=12.532nm,c=12.717nm, Z=6 |
莫氏硬度 | 1095℃ |
密度 | 3.85g/cm3 |
透光范围 | 190-3500nm |
热光系数 | dn0/dT=-16.6x10-6 dne/dT=-9.3x10-6 |
电光系数 | γ22=2.7pm/V |
科彤标准规格:
长度 | 最大可达30mm |
波前畸变 | 小于λ/8@632.8nm |
切割类型 | Z切 |
平行度 | ≤20° |
倒角 | ≤0.2mmx45° |
膜层 | 在两个Y面上镀铬金 |
结构与物理特性:
晶体结构 | 三方晶系,R3C |
晶胞参数 | a=b=12.532nm,c=12.717nm,Z=6 |
熔点 | 1095℃ |
莫氏硬度 | 4 |
密度 | 3.85g/cm3 |
透光范围 | 190-3500nm |
热光系数 | dn0/dT=-16.6x10-6 dne/dT=-9.3x10-6 |
电光系数 | γ22=2.7pm/V |
科彤标准规格:
长度 | 最大可达30mm |
波前畸变 | 小于λ/8@632.8nm |
切割类型 | Z切 |
平行度 | ≤20° |
倒角 | ≤0.2mmx45° |
膜层 | 在两个Y面上镀铬金 |
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